温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种用于RF应用的半导体结构，包括：目标衬底；在所述目标衬底上微转印(μTP)的氮化镓(GaN)小芯片，其中，所述小芯片包括GaN器件和虚设金属层。...
该专利属于X-FAB法国有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过X-FAB法国有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。