下载用于感测相变随机存取存储器单元的电阻状态的方法的技术资料

文档序号:29679573

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各种实施例提供一种混合感测方案,混合感测方案可补偿半导体器件中的单元电阻不稳定性,半导体器件如多层级单元(MLC)型相变随机存取存储器(PCRAM)结构。各种实施例可实现支持相变随机存取存储器单元中的多层级单元应用的稳定电阻状态。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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