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本发明涉及一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成保护膜；在保护膜上形成抗蚀剂膜，使得该抗蚀剂膜包括如下区域：在所述区域处，所述抗蚀剂膜在所述源极电极和所述漏极电极之间从所述漏极电极侧到所述源极电极侧变得更厚；...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

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