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本发明提供一种半导体结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一衬底，形成负显影光刻胶层于所述衬底上；进行失焦曝光，使所述负显影光刻胶层的预设区域曝光，其中，所述预设区域的顶部宽度大于底部宽度；进行负显影，去除所述负显影光刻胶层未被曝光的区域，得...
该专利属于芯恩(青岛)集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩(青岛)集成电路有限公司授权不得商用。

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