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本发明公开了一种利用钝化层负电化抑制侧壁漏电流的探测器的制备方法，该制备方法包括：提供一红外材料，红外材料上形成有台面掩膜；采用电感耦合等离子体法刻蚀红外材料；采用干法刻蚀或湿法腐蚀去除台面掩膜，以形成带有台面结构的红外材料；在带有台面结构...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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