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本发明公开了一种半导体器件上SiO2护层的制备方法，包括有如下步骤:(1)对晶圆或芯片进行光刻，将待刻蚀的SiO2护层图形转移至光刻胶上；(2)用RIE干法刻蚀的方法，对光刻胶未保护的地方进行刻蚀，将SiO2护层图形转移到晶圆或芯片上；(3...
该专利属于浙江焜腾红外科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江焜腾红外科技有限公司授权不得商用。

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