温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供单晶二硒化钨单分子层薄膜的制备方法，在生长基片表面悬涂种子材料置于石英舟内，然后再在具有种子材料的生长基片表面覆盖钨箔片；在生长基片附近放置氯化钠粉末；通入含有硒的气体，调整反应器内压强；高温反应后，在生长基片表面获得单晶二硒化钨...
该专利属于四川大学所有，仅供学习研究参考，未经过四川大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。