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本公开提供一种IGBT芯片。本公开的IGBT芯片包括：元胞区和位于所述元胞区周围的终端保护区；其中，所述元胞区包括IGBT元胞区和温度传感区，所述温度传感区包括第一导电类型衬底、位于所述衬底内的第二导电类型第一阱区、在所述第一阱区内间隔设置...
该专利属于株洲中车时代半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过株洲中车时代半导体有限公司授权不得商用。

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