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本发明公开了一种碳化钼二维材料的制备方法及其应用，属于二维材料技术领域，解决了现有碳化钼二维材料的制备过程中由于生长温度过高，导致的生长过程难以控制的问题。所述制备方法至少包括：以MoO3粉末作为前驱体合成MoO2纳米薄片；将所述MoO2纳...
该专利属于中国科学院福建物质结构研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院福建物质结构研究所授权不得商用。

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