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本发明公开了一种碳纳米梨状结构材料的制备方法，包括以下步骤：(1)制备镀有镍膜的硅基底放入石英舟，再放入CVD管式炉；(2)常温下，通入缓冲气体，去除CVD管式炉内空气；(3)在缓冲气体的气氛中，将CVD管式炉从室温快速升温至1080℃，再...
该专利属于南昌大学所有，仅供学习研究参考，未经过南昌大学授权不得商用。

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