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本发明涉及一种高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件，包括：衬底层；若干沟道层，若干所述沟道层依次叠于所述衬底层上；栅极，设置在若干所述沟道层的两侧和顶部，并位于所述GaN晶体管器件的中间位置处，而且至少最底层的所述沟道层的两侧不设置所...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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