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本实用新型涉及半导体生产设备技术领域，尤其是涉及一种碳化硅单晶生长炉的炉室结构。包括炉室本体，炉室本体为由内筒和外筒组成的套筒结构，炉室本体顶端和底端设有上盖和下盖，外筒顶端和底端分别设有上、下支撑法兰，上、下支撑法兰间设有多根支撑柱；上支...
该专利属于浙江晶盛机电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江晶盛机电股份有限公司授权不得商用。

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