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本发明涉及太阳能电池技术领域,公开了一种多晶硅薄膜钝化背极插指型太阳能电池的制备方法,采用非晶硅薄膜沉积、激光做晶化和隔离、离子注入非晶化和选择性刻蚀等成熟方法来做多晶硅薄膜钝化的背极光伏电池制造,其中离子注入自对准分区技术可使用低成本的丝...该专利属于普乐(合肥)光技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过普乐(合肥)光技术有限公司授权不得商用。
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本发明涉及太阳能电池技术领域,公开了一种多晶硅薄膜钝化背极插指型太阳能电池的制备方法,采用非晶硅薄膜沉积、激光做晶化和隔离、离子注入非晶化和选择性刻蚀等成熟方法来做多晶硅薄膜钝化的背极光伏电池制造,其中离子注入自对准分区技术可使用低成本的丝...