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本发明公开了一种二维过渡金属硫族化合物纳米片半金属特性的调控方法，该调控方法的步骤：先将二维过渡金属硫族化合物纳米片转移到基底上；再配置弱氧化性物质；随后将带有纳米片的基底置于弱氧化性物质环境中，静置，清洗，吹干，得到具有稳定半金属特性的二...
该专利属于北京科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京科技大学授权不得商用。

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