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本发明涉及半导体技术领域，提供一种氮化镓器件特性的调制方法和结构。方法主要包括：对氮化镓器件施加外界电场，外界电场通过逆压电效应耦合作用于氮化镓器件；通过变化外界电场的强度和方向对氮化镓器件的特性进行调制。本发明可以根据氮化镓器件不同的应用...
该专利属于北京东方计量测试研究所所有，仅供学习研究参考，未经过北京东方计量测试研究所授权不得商用。

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