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本发明公开了发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。在第一n型GaN层上增加了SiO2调节层，SiO2调节层包括在第一n型GaN层的表面间隔分布的多个同心SiO2调节圆环，多个同心SiO2调节圆环的圆心为第一n型GaN层的表面...
该专利属于华灿光电（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（苏州）有限公司授权不得商用。

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