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本发明公开了一种具有低门槛电压的SiC绝缘栅双极晶体管，包括第一外延层，第一外延层之下依次设置有第二、第三、第四外延层；第四外延层的凸台之间设置有集电区；第四外延层及集电区下表面共同设置有集电极PAD；第一外延层上部的平台周围套装有阱区，该...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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