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本发明实施例公开了一种芯片SRAM拼接方法、装置、电子设备和存储介质，方法包括：获取SRAM拼接的性能参数列表，其中，性能参数列表中包含每个目标SRAM的第一属性信息以及与每个目标SRAM所对应的待拼接子SRAM的第二属性信息；根据性能参数...
该专利属于北京物芯科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京物芯科技有限责任公司授权不得商用。

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