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本公开提出一种半导体器件的制备方法及半导体器件。半导体器件的制备方法包括以下步骤：提供衬底，并在所述衬底上形成掺杂区；制备字线，在掺杂区上表面开设两个相间隔的凹槽，凹槽贯穿掺杂区和部分衬底，在两个凹槽的槽底分别埋入字线；制备隔离层，在掺杂区...
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