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本实用新型提出了晶体的生长装置。该生长装置包括：外壳，限定出腔体，且具有相对设置的第一开口和第二开口；保温层，设置在外壳的内壁；坩埚，被保温层环绕且用于盛熔汤；加热器，设置在坩埚与保温层之间；冷却套，设置在第一开口的下方；热屏，设置在冷却套...
该专利属于徐州鑫晶半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过徐州鑫晶半导体科技有限公司授权不得商用。

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