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根据本公开的半导体装置设置有：沟道部21；经由栅极绝缘膜23与沟道部21相对设置的栅电极22；以及设置在沟道部21的两端处的源极/漏极区域25。其中，源极/漏极区域25中的每一个设置有第一导电类型并且形成在设置在基体20上的凹部28的内部的...
该专利属于索尼半导体解决方案公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼半导体解决方案公司授权不得商用。

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