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一种新式的N型层磷掺杂工艺方法。涉及半导体工艺领域,尤其涉及一种新式的N型层磷掺杂工艺方法。提供了一种加工简便，工艺扩散后表面浓度均匀性好的一种新式的N型层磷掺杂工艺方法。本发明在硅片表面制作了一层掺有磷的多晶硅薄膜层，再在含有磷元素的多晶...
该专利属于扬州扬杰电子科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州扬杰电子科技股份有限公司授权不得商用。

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