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本发明提供一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括：非掺杂GaInP有源层；P型GaAlInP半导体层，所述P型GaAlInP半导体层中掺杂有Zn离子；位于所述P型GaAlInP半导体层和所述非掺杂GaInP有源层之间的第一扩散截止...该专利属于苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司授权不得商用。