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公开了3D存储器件及其形成方法的实施例。在示例中，一种3D存储器件包括存储堆叠体、半导体层、支撑结构、间隔体结构和接触结构。该存储堆叠体包括交替的导电层和电介质层并且在平面图中包括阶梯区。该半导体层与该存储堆叠体接触。支撑结构与存储堆叠体的...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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