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本发明公开了一种铟镓砷材料的制备方法，包括：清洁衬底表面；在衬底表面生长第一缓冲层；在第一缓冲层表面生长第二缓冲层；在第二缓冲层上生长铟镓砷吸收层。本发明能在获得高铟组分铟镓砷材料的同时，显著降低铟镓砷材料的位错密度。...
该专利属于浙江长芯光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江长芯光电科技有限公司授权不得商用。

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