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借助于显著地延长曝光后烘焙步骤和降低曝光剂量，能够显著地减小利用光刻工艺在衬底层中构成的器件特征图形的最小特征宽度（ＣＤ），而不降低工艺宽容度（ＤＯＦ）。利用同样的措施，能够将等焦ＣＤ调整到设计ＣＤ，以便增大对于任意ＣＤ的工艺宽容度。...
该专利属于皇家飞利浦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过皇家飞利浦电子股份有限公司授权不得商用。

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