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一种TrenchMOS功率器件制造技术
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下载一种TrenchMOS功率器件的技术资料
文档序号:27457857
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本实用新型公开了一种Trench MOS功率器件,涉及半导体功率器件技术领域。用于降低器件导通电阻的同时,可以有效保障击穿电压。包括:外延层,栅极沟槽和注入埋层;所述栅极沟槽设置在所述外延层上;所述注入埋层位于所述栅极沟槽的正下方,且与所述...
该专利属于华羿微电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华羿微电子股份有限公司授权不得商用。
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