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本发明涉及光通讯系统技术领域，特别是一种适用于台阶结构的自对准掺杂工艺。包含以下步骤：（１）生成第一掩模层；（２）刻蚀形成台阶结构；（３）生成第二掩模层；（４）各向异性刻蚀第二掩模层；（５）形成掺杂区。在所述自对准工艺中，由于刻蚀所述第二掩...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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