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腔盖、半导体刻蚀装置及其温控方法制造方法及图纸
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文档序号:27434632
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本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种腔盖、半导体刻蚀装置及其温控方法。所述腔盖用于封闭反应腔室,所述腔盖包括:温控板,所述温控板内包含温度传感器,所述温度传感器用于测量温控板温度;输入管道,连接所述温控板且在所述温控板中导通,用于传输...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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