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本实用新型涉及气体抽空结构技术领域，具体是一种用于MPCVD的气体抽空结构，用于解决现有技术中反应器高温气体不能及时流出，使反应器内的温度升高，以及工艺气体不能有效的流过钼托盘，从而降低了金刚石膜及单晶金刚石的生长效率的问题。本实用新型包括...
该专利属于四川三三零半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过四川三三零半导体有限公司授权不得商用。

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