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本发明公开了一种晶体生产工艺，包括以下步骤：S10：化料：对坩埚组件进行加热以使初始原料熔化，并在设定时间后，坩埚组件以设定转速段内的转速转动；S11、引晶：将籽晶的一部分浸入坩埚组件内熔体的液面下方，并开启磁场装置；S12、缩颈；S13、...
该专利属于徐州鑫晶半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过徐州鑫晶半导体科技有限公司授权不得商用。

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