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本实用新型属于微小发光器件包括：衬底基片、限制层、隔离沟道、发光层、电极、光阑、保护层。在超高亮度发光芯片上光刻、蒸发、退火形成上电极；在上表面溅射、光刻形成发光二极管图形，刻蚀形成上隔离沟道；在下表面光刻、蒸发下电极，刻蚀形成背隔离沟道，...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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