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通过在硅晶片上首先生长调节缓冲层（２６），可以覆盖大的硅晶片（２２）生长高质量外延层。调节缓冲层是单晶氧化物层，氧化硅非晶接合层（２４）将非晶氧化物层与硅晶片分离。非晶中间层消除应变并使得能够生长高质量单晶氧化物调节缓冲层。利用非晶中间层，...
该专利属于自由度半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过自由度半导体公司授权不得商用。

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