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提高锗GeMOS电容器件性能的方法、系统及设备技术方案
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文档序号:27132597
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本发明提供了一种提高锗Ge MOS电容器件性能的方法、系统及设备。在制备锗MOS器件结构时,利用等离子增强型原子层沉积设备,通过对锗衬底进行NH3/N2混合等离子体原位预处理,然后在锗衬底上原子层沉积高介电绝缘介质层如二氧化铪,可以提高高介...
该专利属于上海交通大学所有,仅供学习研究参考,未经过上海交通大学授权不得商用。
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