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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成停止层；在所述停止层表面形成介电层；在所述介电层内形成第一开口，所述第一开口暴露出所述停止层表面；对所述第一开口底部的停止层进行改性处理，形成改性层；去除所述改性层，形成第二...
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