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薄膜晶体管及其制造方法技术
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文档序号:27071513
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薄膜晶体管(101)包括支承于基板(1)的栅电极(2)、覆盖栅电极的栅极绝缘层(3)、配置于栅极绝缘层上且包含多晶硅区域(4p)的半导体层,多晶硅区域(4p)具有:半导体层(4),其包括第一区域(Rs)、第二区域(Rd)、以及位于第一区域与...
该专利属于堺显示器制品株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过堺显示器制品株式会社授权不得商用。
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