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本发明公开了一种半椭圆氧化沟槽LDMOS晶体管，埋氧层位于衬底层上方；硅膜层位于埋氧层上方；硅膜层包括硅体、源区、氧化沟槽、漂移区和漏区；硅体和漏区分设在硅膜层顶部两侧；源区处于硅体的凹槽处；氧化沟槽呈半椭圆形状，顶点位于硅膜层上表面；漂移...该专利属于杭州电子科技大学温州研究院有限公司;杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学温州研究院有限公司;杭州电子科技大学授权不得商用。