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本发明涉及一种氮化铝晶体生长用多孔原料的制备方法，属于氮化铝晶体原料制备技术领域。为解决现有氮化铝原料较为致密，不利于原料挥发和晶体生长的问题，本发明提供了一种氮化铝晶体生长用多孔原料的制备方法，将经过抗水解预处理的氮化铝粉体加入海藻酸钠溶...该专利属于哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司授权不得商用。