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本发明公开涉及一种双模输入抗单粒子效应的SRAM快速读出电路结构，电路结构中包括两个灵敏放大器，十六个NCMOS管和十六个PCMOS管，两组数据通过两个灵敏放大器放大后输入与锁存单元连接，锁存单元的两端分别与带两级OE控制的读出单元相连，数...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。

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