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本发明涉及一种含有氧化钛和氧化锆的蒸镀用的氧化钇组成物，及用这种组成物作为蒸镀材料制造用于如硅或ＧａＡｓ那样的Ⅲ－Ｖ族化合物半导体用的反射防止膜，该反射防止膜能使被蒸镀物上的表面反射率几乎为零。而且，由于时效变化小，动作时间可以延长。...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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