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本发明是关于一种三维存储器器件的结构及其形成方法。该存储器器件包含衬底以及复数个在该衬底上且延伸于第一方向上的复数个字符线，其中，该第一方向延伸于x方向上。字符线形成在第一区域中的阶梯结构。复数个沟道形成在第二区域上并通过字符线。该第二区域...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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