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本申请公开了一种接触孔的检测方法及半导体产品的处理方法。该检测方法用于检测出半导体结构上的开放不良的接触孔；所述半导体结构包括晶圆以及位于所述晶圆上的氧化物层；所述氧化物层上开设有若干贯穿所述氧化物层的接触孔；所述检测方法包括：在所述晶圆上...该专利属于中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司授权不得商用。