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本发明公开了一种无衬底垂直型肖特基二极管的制作方法，包括：1)制作T形肖特基接触阳极；2)制作阳极台面；3)旋涂BCB介质并固化；4)BCB刻蚀，电镀制作压块和介质桥；5)背面减薄去除全部砷化镓衬底；6)背面欧姆接触制作；7)背面刻蚀BCB...该专利属于南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司授权不得商用。