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本申请公开了一种外延结构及其制造方法，位于衬底上的第一载流子供应层；调控结构，位于第一载流子供应层上，包括多量子阱层；多个V型凹陷，自调控结构的表面延伸至调控结构中；以及第二载流子供应层，位于调控结构上，其中，至少两个V型凹陷不同。本发明的...
该专利属于厦门士兰明镓化合物半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门士兰明镓化合物半导体有限公司授权不得商用。

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