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本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种电容器及其制备方法，包括：下电极；HfO...
该专利属于中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司授权不得商用。

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