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一种探测半导体材料能带结构高阶临界点的新方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：在衬底材料上生长半绝缘的半导体材料或在样品生长过程中对半导体材料进行等电子掺杂，形成半绝缘的三元合金材料；步骤２：利用显微荧光光谱仪测试等电子掺杂后的半导体材料...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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