专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
哈尔滨工业大学
>
半导体材料辐射诱导位移缺陷的检测方法技术
>技术资料下载
下载半导体材料辐射诱导位移缺陷的检测方法的技术资料
文档序号:26167957
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供了一种半导体材料辐射诱导位移缺陷的检测方法,包括以下步骤:S100、制备低阻单晶样品;S200、对低阻单晶样品的背面进行高浓度掺杂得到掺杂样品;S300、在掺杂样品的正面刻蚀沟槽;S400、对开槽的样品进行钝化,在样品的正面、背面...
该专利属于哈尔滨工业大学所有,仅供学习研究参考,未经过哈尔滨工业大学授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。