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一种使用异常原料生产单晶硅的方法技术
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文档序号:26162925
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本发明提供一种使用异常原料生产单晶硅的方法,包括装料:将多晶硅原料和异常原料混装在坩埚中;化料:将异常原料和多晶硅原料熔化;杂质提出:在化料后期将所述坩埚内未熔化的多晶硅异常原料提出;生长:利用籽晶将提出杂质后剩余的硅熔体提拉以获得单晶硅。...
该专利属于新特能源股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过新特能源股份有限公司授权不得商用。
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