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一种铌酸锂薄膜光波导结构以及芯片制造技术
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文档序号:26104206
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本实用新型公开了一种铌酸锂薄膜光波导结构以及芯片,其中,铌酸锂薄膜光波导结构,包括下包层、薄膜基板和上包层,下包层形成于基底晶片的上方,薄膜基板放置于下包层的上方;还包括下述结构中的一种:第一:薄膜基板的上表面形成有脊形结构,脊形结构为在薄...
该专利属于天津领芯科技发展有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过天津领芯科技发展有限公司授权不得商用。
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