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本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，其中，所述半导体结构包括：晶圆本体，具有掺杂离子及第一表面与第二表面，所述晶圆本体的第一表面暴露于外部；第一保护层，位于所述晶圆本体的所述第二表面和侧面上；第二保护层，位于所述第一保护层上；其中，所述...
该专利属于南京晶驱集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京晶驱集成电路有限公司授权不得商用。

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